一种高折射率对比的Al2O3 AlxGa1-xAs DBR VCSEL制作方法

摘要

本发明涉及一种高折射率对比的Al2O3 AlxGa1‑xAs DBR VCSEL制作方法，包括以下步骤：将MQW层上方的主要DBR AlxGa1‑xAs/AlyGa1‑yAs(x>y，0≤y<1)中高Al%组分AlxGa1‑xAs的部分进行完全氧化，使其转变成Al2O3，在所需的光学路径上形成Al2O3/AlyGa1‑yAs DBR堆叠结构，并通过控制较临近MQW的低Al%组分AlzGa1‑zAs的氧化速率控制中心未被氧化的AlzGa1‑zAs电流孔径的大小；然后，将外围部分完全氧化所形成的Al2O3以化学刻蚀方式去除，保留光学路径的Al2O3/AlyGa1‑yAs DBR堆叠结构；去除外围部分的Al2O3所形成的空间以原子层沉积、溅镀、蒸镀及电镀中的一种或多种组合方式填充欧姆金属，以形成低电阻的电学导通路径。