一种半导体器件的电学和热学行为模拟方法

摘要

本发明提出一种半导体器件的电学和热学行为模拟方法，包括一种电热耦合模型，可用于快速计算半导体器件在大功率过程中内部各处的温度和压降随时间的变化规律，具体包括根据器件的几何结构参数、材料特性参数、静态电学特性、热阻抗特性建立器件的电学、热学模型；根据器件的电学、热学模型，建立电热耦合模型的电学支路和热学支路；根据电热耦合模型的电学支路和热学支路，以外加电流激励作为输入，计算电学支路中各元件压降和热学支路中各结点温度随时间的变化。本发明的模拟方法有助于迅速把握器件的行为特征，提升器件可靠性优化的效率，且相比于动态数值仿真具有更快的计算速度，相比传统RC热路模型更加贴合实际，具有更高的精度。