一种基片刻蚀后氮化物的去除方法

摘要

本发明公开了一种基片刻蚀后氮化物的去除方法，包括：将待处理基片的表面置于脉冲激光器的光焦平面位置；其中，所述待处理基片为刻蚀后的表面产生氮化物的基片；采用所述脉冲激光器对基片表面进行激光扫描处理，以去除基片表面的氮化物；其中，所述脉冲激光器的波长不大于1350nm，平均功率不大于120W，脉冲频率为150KHz～200KHz；清理激光扫描处理后基片表面产生的杂物。采用本发明的技术方案能够有效去除基片刻蚀后产生的氮化物。