首页> 中国专利> 提升拼接工艺窗口容许度的方法

提升拼接工艺窗口容许度的方法

摘要

本发明提供一种提升拼接工艺窗口容许度的方法,包括:切割目标图形得到多个初始图形,各所述初始图形包括多个子图形;对各所述初始图形在切割线位置进行补偿处理以得到多个修正图形;将所述修正图形做在多块掩模板上;利用多个所述掩模板对晶圆依次进行曝光,其中,曝光在晶圆上的两两相邻的修正图形的切割线完全重合。本申请通过对初始图形直接在切割线位置直接进行补偿,然后利用补偿后的修正图形上的切割线重合来对晶圆进行曝光,避免了拼接位置的初始图形断线和偏移的情况,提升了拼接位置的初始图形的错位和相互远离的容许度,保证了拼接曝光工艺的准确度和可靠性,也改善了套刻精度,提高了产品良率。

著录项

  • 公开/公告号CN114236973A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN202111526095.7

  • 发明设计人 李文亮;吴鹏;

    申请日2021-12-14

  • 分类号G03F7/20(20060101);

  • 代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人戴广志

  • 地址 201203 上海市浦东新区良腾路6号

  • 入库时间 2023-06-19 14:39:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-25

    公开

    发明专利申请公布

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号