SGT Mosfet中IPO厚度的可控方法、装置及介质

摘要

本发明涉及半导体技术领域，揭露了一种SGT Mosfet中IPO厚度的可控方法，包括：将非掺杂氧化硅及源极多晶硅沉积在硅沟槽衬底的沟槽内，得到初始沉积沟槽，去除部分非掺杂氧化硅，得到原始待氧化沉积沟槽，在源极多晶硅的表面植入氮原子，得到目标待氧化多晶硅层，氧化目标待氧化多晶硅层及原始待氧化沉积沟槽的内壁，分别得到目标厚度IPO氧化层及目标厚度栅极氧化层，在目标厚度IPO氧化层及目标厚度栅极氧化层的表面，沉积栅极多晶硅，完成IPO厚度的调控。本发明还提出一种SGT Mosfet中IPO厚度的可控装置、电子设备以及计算机可读存储介质。本发明可以解决改善源极和栅极的耐压不足和漏电的现象时，需要耗费较高的人力物力，制造成本较高的问题。