首页> 中文期刊> 《中国集成电路》 >SGT MOSFET的研究与进展

SGT MOSFET的研究与进展

         

摘要

介绍了SGT MOSFET的研究历史和结构演进,对SGT MOSFET发展过程中出现的各种新结构的结构特点和电学特性做了简要阐述;简要说明了SGT MOSFET在改善器件反向耐压BV和比导通电阻Rsp以及UIS和BV稳定性方面的研究进展;同时列举了SGT MOSFET的一些最新研究成果和需要解决的问题,以及今后的研究发展重点.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号