一种汞系量子点传统热注入流程中原位修饰的方法

摘要

本发明属于化合物半导体纳米材料制备领域，具体公开了一种汞系量子点传统热注入流程中原位修饰的方法。其特征在于：在传统热注入合成HgTe量子点的流程中，反应一定时间后，通过快速注入与反应溶剂互不相容的低沸点极性液体，使混合反应中出现两相液面分离，在汞系量子点表面进行有选择性的晶向表面修饰。以具备中波红外(3‑10微米)截止波长的HgTe量子点为例，在本发明原位修饰后，量子点形貌接近球形，对称性良好，提高了量子点的单分散性与尺寸均一度，且具有良好的电学特性，增强光电探测性能。