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一种理想二极管

摘要

本发明公开了一种理想二极管,包括控制IC芯片和PMOS管,控制IC芯片内部包括电源偏置使能模块、芯片内部低压电源VCC模块、第一比较器CMP1、第二比较器CMP2、电平转换模块、运算放大器AMP,运算放大器AMP包括由三极管Q1和三极管Q2组成的第一组电流镜,由三极管Q3和三极管Q4组成的第二组电流镜,由PMOS管P4、PMOS管P6和电阻R2组成的第一输出支路以及由PMOS管P5、PMOS管P7和电阻R3组成的第二输出支路,运算放大器AMP的输出端连接PMOS管的栅端,本发明提供的一种理想二极管,在外围上节省了电荷泵电容,控制IC芯片内部节省了电荷泵的设计,整个体积得到了极致的精简。

著录项

  • 公开/公告号CN114221524A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏州锴威特半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN202111477335.9

  • 申请日2021-12-06

  • 分类号H02M1/08(20060101);H02M3/07(20060101);H03K5/24(20060101);H03K19/0185(20060101);

  • 代理机构32206 南京众联专利代理有限公司;

  • 代理人毕东峰

  • 地址 215600 江苏省苏州市张家港市沙洲湖科技创新园A-1幢9层

  • 入库时间 2023-06-19 14:36:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-22

    公开

    发明专利申请公布

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