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一种基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型的构建方法

摘要

本发明公开了一种基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型的构建方法,包括以下步骤:根据石墨烯建立4×4的石墨烯超胞,根据单层WSe2建立3×3WSe2的超胞,将3×3WSe2的超胞垂直叠加在4×4的石墨烯超胞上,得到基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型;通过基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型对气体的吸附进行研究,从理论上计算了气体吸附在异质结气体传感器模型上的吸附能、能带结构、电荷密度差分。本发明构建的基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型,通过分析石墨烯/二硒化钨异质结对十种气体的吸附性能,从理论上计算了气体吸附在异质结上的稳定构型、能带结构和电荷转移。

著录项

  • 公开/公告号CN114169213A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华东理工大学;

    申请/专利号CN202111485187.5

  • 申请日2021-12-07

  • 分类号G06F30/25(20200101);G06F30/28(20200101);G16C60/00(20190101);G06F113/26(20200101);

  • 代理机构31203 上海顺华专利代理有限责任公司;

  • 代理人李鸿儒

  • 地址 200237 上海市徐汇区梅陇路130号

  • 入库时间 2023-06-19 14:28:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-11

    公开

    发明专利申请公布

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