基于TSN1028的DRAM PUF温度自适应提取方法

摘要

本发明公开了基于TSN1028的DRAM PUF温度自适应提取方法，其包括DRAM PUF测试参数获取和SDRAM控制；DRAM PUF测试参数获取包括串口参数接收模块、SDRAM掉电时间计算模块；SDRAM控制包括SDRAM初始化模块、SDRAM控制器配置及PUF提取模块、代码运行区刷新模块以及SDRAM数值读取模块；本发明方法在给定DRAM PUF的掉电时间和对应温度参数后，可以通过测试系统的SDRAM掉电时间计算模块根据实时的SOC温度计算出输入参数中掉电时间对应的实际掉电时间，能够降低环境温度变化对DRAM PUF的影响，有效提高DRAM PUF提取的可靠性和唯一性，并且本DRAM PUF测试系统通过代码运行区刷新模块在禁止SDRAM自动充电刷新的情况下对内核及代码运行的SDRAM空间进行手动刷新，能够在不影响系统运行的同时进行DRAM PUF的提取。