一种MEMS温湿压三合一传感器芯片及其制造工艺

摘要

本发明提供一种MEMS温湿压三合一传感器芯片及其制造工艺，包括SOI晶圆，SOI晶圆包括体硅层、埋氧层和器件硅层，SOI晶圆上生长有一层金属薄膜，金属薄膜上通过作图案化构造有测温电阻和测压电阻,金属薄膜外还沉积一层SiO2层作为温度补偿层和内层介质，SiO2层上作图案化形成有通孔，SiO2层上沉积一层导电金属层，导电金属层上作图形化形成有金属焊盘和金属连接线，以将压敏电阻连接成惠斯通电桥，该导电金属层上还图形化作出有测湿用叉指式结构，SOI晶圆衬底背部刻蚀有腔体结构。以解决现有传感器不利于部分场景下智能产品的整体尺寸控制，缺少复合温湿压测量功能的便捷设计，部分带有复合测量功能的设计不能有效减少寄生电容等问题。属于传感器技术领域。