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一种基于陷阱俘获载流子机理下对柔性薄膜晶体管内部缺陷进行无损电学检测的方法

摘要

一种基于陷阱俘获载流子机理下对柔性薄膜晶体管内部缺陷进行无损电学检测的方法属于半导体器件检测领域。所述方法通过检测陷阱俘获载流子的情况,得到器件的电流值随时间变化,经过一系列的数学处理后,最终实现对柔性薄膜晶体管内部缺陷的无损电学检测。首先,在柔性薄膜晶体管开态情况下,对器件不同电极上施加电压,对器件陷阱俘获载流子的情况进行检测,得到IDS‑time的瞬态电流曲线;在器件处于关态情况下,检测陷阱俘获载流子的情况;将提取得到的陷阱时间常数谱,结合提取出陷阱的激活能,最终确定柔性薄膜晶体管的陷阱位置。本发明所述的方法设备简单、操作方便,在无需增加额外设备即可实现对柔性薄膜晶体管内部缺陷的无损电学检测。

著录项

  • 公开/公告号CN114152854A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN202111316459.9

  • 发明设计人 朱慧;黄增;解娜;方志轩;王斯;

    申请日2021-11-08

  • 分类号G01R31/26(20140101);

  • 代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘萍

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2023-06-19 14:26:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-08

    公开

    发明专利申请公布

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