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公开/公告号CN114141284A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-04
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN202111004115.4
发明设计人 J·M·布朗;V·J·万卡雅拉;
申请日2021-08-30
分类号G11C7/22(20060101);H03L7/08(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-06-19 14:23:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-04
公开
发明专利申请公布
机译: 半导体集成电路(集成电路)具有延迟锁定回路,尤其是通过使用DLL(延迟锁定回路)电路来改善功耗
机译: 延迟电路,包含延迟电路的延迟锁定回路和包含延迟锁定回路的处理器
机译: 用于控制使用双电源的半导体器件中的DLL延迟锁定环的锁定时间的延迟建模电路
机译:使用多条压控延迟线的双回路延迟锁定回路
机译:使用90 nm CMOS中的相位跟踪延迟单元的6.7 MHz至1.24 GHz快速锁定全数字DLL
机译:100相双回路延迟锁定回路,用于脉冲无线电超宽带相干接收机同步
机译:利用差分延迟线拓扑的辐射硬化延迟锁定环(DLL)
机译:用于混合信号延迟锁定环(DLL)和时钟电路的单事件瞬态建模和缓解技术。
机译:使用芴以将电子活性部分锁定在热活化的延迟荧光发射器中用于高性能的非掺杂有机发光二极管抑制滚动
机译:CmOs延迟锁定环(DLL),用于将时钟偏差降至500ps以下
机译:使用mK 25 mOD 2 UBa,模拟锁定中深度延迟对潜水员受氧气部分压力的影响