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磁隔离芯片及电容隔离芯片的隔离结构、制作方法

摘要

本发明提供了一种磁隔离芯片及电容隔离芯片的隔离结构、制作方法,通过将该隔离结构中部分应力较大的整面膜层转换成多个独立的膜层单元,穿插式的分布在相邻的膜层上,进而将该整面膜层的应力进行细微化,从而使其应力与相邻膜层的应力进行适配,以此提高隔离结构的可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN114141692A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州士兰集成电路有限公司;

    申请/专利号CN202111476507.0

  • 发明设计人 夏志平;裴晓平;温建功;

    申请日2021-12-06

  • 分类号H01L21/76(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人张珊珊

  • 地址 310018 浙江省杭州市经济技术开发区10号大街(东)308号

  • 入库时间 2023-06-19 14:23:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-04

    公开

    发明专利申请公布

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