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一种局域压应变控制的范德华自旋阀结构单元、器件及控制方法

摘要

本发明公开了一种局域压应变控制的范德华自旋阀结构单元,包括在基底上形成第一GeC层、形成CrS2层并调控,形成第二GeC层后施加磁场进行初始磁化,再施加局域垂直压应变得到范德华自旋阀结构单元;本发明公开了一种包括两个以上并联的范德华自旋阀结构单元组成的自旋阀器件;本发明还公开了对自旋阀器件的控制方法:对自旋阀器件施加外磁场并输入电流,通过改变外磁场施加方向调节范德华自旋阀结构单元自旋状态,获取调节输出信号。本发明通过局域压应变调控CrS2相变,得到受磁性转变作用的范德华自旋阀结构单元,免除了不同性质不同材料的匹配问题;本发明的自旋阀器件结构与控制方法简单,实现了逻辑运算且便于能耗管理。

著录项

  • 公开/公告号CN114141945A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西北有色金属研究院;

    申请/专利号CN202111448174.0

  • 申请日2021-11-30

  • 分类号H01L43/10(20060101);H01L43/06(20060101);H01L43/08(20060101);H01L43/14(20060101);

  • 代理机构61213 西安创知专利事务所;

  • 代理人马小燕

  • 地址 710016 陕西省西安市未央区未央路96号

  • 入库时间 2023-06-19 14:23:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-04

    公开

    发明专利申请公布

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