一种集成量子纠缠光源的光量子芯片的制备方法及其结构

摘要

本申请实施例所公开的一种集成量子纠缠光源的光量子芯片的制备方法及其结构，制备方法包括获取待刻蚀结构和待转移结构，该待刻蚀结构自下而上依次包括基底、牺牲层和待刻蚀层，待转移结构的上表面包括待转移区域和待刻蚀区域，进而对待刻蚀结构进行刻蚀处理，使得在待刻蚀层形成波导光栅耦合结构，得到待腐蚀结构，并对待腐蚀结构进行腐蚀处理，去除牺牲层，得到量子点薄膜，之后将量子点薄膜转移至待转移结构上的待转移区域，并在待刻蚀区域刻蚀出待施压区域，得到光量子芯片。基于本申请实施例通过在待刻蚀区域上刻蚀待施压区域以施加驱动电压，通过压电效应来调控精细结构分裂，提高量子纠缠光源的产率，实现片上量子纠缠光源的光量子芯片。