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用于处理具有多晶磨光的半导体晶片的方法

摘要

本发明涉及用于处理具有多晶磨光的半导体晶片的方法。一种处理半导体晶片的方法包括在半导体晶片上沉积硅层。所述硅层具有基本均匀的厚度。所述硅层被抛光以平滑化所述硅层,以使得所述厚度在抛光后基本均匀。

著录项

  • 公开/公告号CN114102269A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 环球晶圆股份有限公司;

    申请/专利号CN202111316707.X

  • 发明设计人 G·D·张;M·S·克鲁克斯;T·M·拉根;

    申请日2016-05-26

  • 分类号B24B1/00(20060101);B24B29/02(20060101);H01L21/67(20060101);H01L21/02(20060101);

  • 代理机构11247 北京市中咨律师事务所;

  • 代理人贺月娇;于静

  • 地址 中国台湾新竹市科学工业园区工业东二路8号

  • 入库时间 2023-06-19 14:22:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-01

    公开

    发明专利申请公布

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