一种具有台阶状沟槽栅和改进的源体接触性能的沟槽MOSFET及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有台阶状沟槽栅和改进的源体接触性能的沟槽MOSFET与其制造方法，与现有技术中的沟槽MOSFET相比，根据本发明的沟槽MOSFET，由于源体接触沟槽与体接触区之间的接触面积增大，因而具有较小的接触电阻和更好的接触性能。同时，台阶状沟槽栅的应用使得栅电容和导通电阻过大的问题得以解决。