公开/公告号CN114105087A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-01
原文格式PDF
申请/专利权人 华东光电集成器件研究所;
申请/专利号CN202111479941.4
申请日2021-12-07
分类号B81C1/00(20060101);
代理机构34113 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙);
代理人杨晋弘
地址 233030 安徽省蚌埠市经开区汤和路2016号
入库时间 2023-06-19 14:22:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-01
公开
发明专利申请公布
机译: 一种制造半导体器件以改善高压器件区与低压器件和闪速器件区之间台阶覆盖率的方法
机译: 用于去除多晶硅的组合物,用于去除多晶硅的方法以及使用该方法制造半导体器件的方法
机译: 用于去除多晶硅的组合物,用于去除多晶硅的方法以及使用该方法制造半导体器件的方法