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一种高熵钙钛矿氧化物薄膜材料及其制备方法

摘要

本发明属于材料制备技术领域,具体涉及一种高熵钙钛矿氧化物薄膜材料及其制备方法。本发明首先制备得到一种新型的磁性材料为La(Cr0.2Mn0.2Fe0.2Co0.2Ni0.2)O3(L5BO),其借助各序参量之间的耦合效应有潜力实现更为丰富、新颖的物理特征;然后,以L5BO高熵金属氧化物陶瓷靶材,借助脉冲激光沉积技术在SrTiO3(STO)单晶衬底上生长L5BO薄膜。本发明得到质量良好的单晶高熵钙钛矿型氧化物外延薄膜。本发明首次在单晶纯相的氧化物外延薄膜中实现磁滞回线在垂直方向的位移调控,在磁性器件中有巨大的应用潜力。

著录项

  • 公开/公告号CN114107913A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学(深圳);

    申请/专利号CN202111225726.1

  • 发明设计人 陈祖煌;李晋阳;汪海林;张金萍;

    申请日2021-10-21

  • 分类号C23C14/28(20060101);C23C14/08(20060101);C30B29/22(20060101);C30B28/02(20060101);C23C14/54(20060101);H01F1/03(20060101);

  • 代理机构44451 深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人于标

  • 地址 518000 广东省深圳市南山区桃源街道深圳大学城哈尔滨工业大学校区

  • 入库时间 2023-06-19 14:22:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-01

    公开

    发明专利申请公布

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