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一种压阻式压力传感器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种压阻式压力传感器及其制备方法,包括硅应变膜片、压敏电阻条、重掺杂接触区、电极孔、金属引线和玻璃底座,所述硅应变膜片为硅晶圆经过正面刻蚀和背面刻蚀后减薄在正面和背面形成蜂巢结构的硅片,所述压敏电阻条包括四组,分别位于硅应变膜片顶层四边中部,所述金属引线和重掺杂接触区通过电极孔在硅应变膜片的正面形成欧姆接触,所述玻璃底座用于键合硅应变膜片。本发明中蜂巢结构在保证压力传感器灵敏度的同时又能提高传感器线性度,蜂巢结构在可以改善平膜结构强度不足的问题,同时在抵抗振动冲击方面都有着优越性能,通过调节凹槽的形状、数目、间距和深度,不仅可以调节传感器的性能,同时适用于不同的量程。

著录项

  • 公开/公告号CN114112127A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市美思先端电子有限公司;

    申请/专利号CN202111660955.6

  • 发明设计人 许克宇;武斌;申涛;

    申请日2021-12-30

  • 分类号G01L1/18(20060101);

  • 代理机构44309 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙);

  • 代理人廉红果

  • 地址 518000 广东省深圳市光明区凤凰街道凤凰社区招商局光明科技园B1B2栋B2-301

  • 入库时间 2023-06-19 14:20:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-01

    公开

    发明专利申请公布

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