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半导体晶圆破裂的发生率降低方法

摘要

提出晶圆制造工序或元件形成工序中降低半导体晶圆破裂的发生率的方法。是抑制半导体晶圆破裂的发生率的方法,其特征在于,在从半导体锭制造半导体晶圆而在被制造的半导体晶圆上形成半导体元件的工艺中,在第1工序和第2工序之间具备第3工序,在前述第1工序中,在上述半导体晶圆处会形成伤痕,在前述第2工序中,对经过该第1工序的半导体晶圆施加应力而半导体晶圆会破裂,在前述第3工序中,进行弯曲试验来判定半导体晶圆是否破裂,将未破裂的半导体晶圆向前述第2工序搬运,前述弯曲试验为,将与上述第2工序中对半导体晶圆施加的应力对应的应力对半导体晶圆施加。

著录项

  • 公开/公告号CN114112653A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 胜高股份有限公司;

    申请/专利号CN202110982250.X

  • 发明设计人 藤濑淳;小野敏昭;多久岛武;

    申请日2021-08-25

  • 分类号G01N3/08(20060101);G01N3/20(20060101);H01L21/66(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人张泽洲;张一舟

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-06-19 14:20:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-01

    公开

    发明专利申请公布

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