退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN114114538A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-01
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;
申请/专利号CN202111531175.1
发明设计人 胡晓;张宇光;陈代高;肖希;王磊;刘敏;刘佳;张红广;徐路;
申请日2021-12-14
分类号G02B6/122(20060101);G02B6/42(20060101);
代理机构11270 北京派特恩知识产权代理有限公司;
代理人徐雯;蒋雅洁
地址 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区关山街邮科院路88号1幢1-3层
入库时间 2023-06-19 14:20:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-01
公开
发明专利申请公布
机译: 光耦合结构,半导体器件,多芯片模块的光学互连结构以及光耦合结构的制造方法
机译: 具有自聚焦区域的光耦合器和包括该光耦合器的阵列波导光栅结构
机译:代言相轴波导的光耦合结构和开关
机译:WO_3-FE_2O_3 / CRTIO_2薄膜光耦合的形态,结构,光学和光电化学性能的调查
机译:一种化学结构方法,增强了掺杂剂OLED的光耦合和具有蓝色TADF发射器的非掺杂剂OLED的内部量子效率
机译:用光学检测,表面结构对芯片芯片中芯片中光耦合效率效率的影响
机译:在具有全向减反射和光子晶体结构的纳米膜中实现完美的光耦合和吸收。
机译:光耦合结构的空间分辨率效应
机译:半导体微结构和纳米结构中的光耦合效应
机译:量子阱红外探测器中光耦合的天线结构