一种减小接触电阻提高碲烯场效应晶体管性能的方法

摘要

本发明公开了一种减小接触电阻提高碲烯场效应晶体管性能的方法，包括以下步骤：S1：合成二维碲烯，并转移到基底上，清洗得到含有二维碲烯的基底；S2：将所述含有二维碲烯的基底上旋涂光刻胶，旋涂后烘焙光刻胶，待烘焙完冷却后准备图案化电极图形，得到图形化后的二维碲烯基底；S3：配置氯化钯溶液；S4：将所述图形化后的二维碲烯基底浸渍于氯化钯溶液中，然后清洗，吹干，得到碲烯场效应晶体管半成品；S5：用磁控溅射的方法在碲烯场效应晶体管半成品上生长一层高功函的金属材料，最后用丙酮清洗，得到碲烯场效应晶体管。本发明降低电子跨越的势垒，起到减小接触电阻的效果，提高晶体管的性能。