一种绕镀多晶硅的清洗工艺

摘要

本发明公开了一种绕镀多晶硅的清洗工艺，包括以下步骤：获取存在绕镀多晶硅的硅片，采用氢氟酸溶液对硅片正面和边缘进行清洗，控制水膜流量为5mL/片～40mL/片，使得正面BSG层的减薄量为20nm～60nm，BSG层的保留厚度在40nm以上；在硅片正背面BSG层和PSG层的保护下去除硅片正面和边缘绕镀多晶硅，去除硅片正面BSG层和背面PSG层。本发明清洗工艺，既能够有效解决因多晶硅绕镀而导致的电池转换效率和良品率低的问题，又能释放LPCVD机台产能，使用价值高，应用前景好，对于降低TOPCon电池的生产成本，提升TOPCon电池的产能，提高TOPCon电池的转换效率和良品率均具有重要意义。