用于超导量子比特的金属薄膜及其变功率制备方法

摘要

本发明公开了一种用于超导量子比特的金属薄膜及其变功率制备方法，包括：对基片进行清洗；在清洗后的基片上进行电子束蒸发，形成超导金属薄膜；电子束蒸发包括第一功率蒸发和第二功率蒸发；电子束蒸发设备在第一功率蒸发的第一设定功率小于第二功率蒸发的第二设定功率；对蒸发有超导金属薄膜的基片进行激光直写光刻；对光刻后的基片上的超导金属薄膜进行刻蚀，暴露出基片上用于制备超导量子比特的约瑟夫森结结构的基底区域。本方法通过预先用小功率生长小厚度的超导金属薄膜，减少了对基片的损害，而后再用大功率完成超导金属薄膜的生长，既保证了薄膜生长的质量与效率，又减小了对基片的损害，降低了粗糙度，有效提升超导量子比特的能量弛豫时间。