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超导量子比特及其辅助器件多层膜的制备方法及产品

摘要

本发明提供了一种超导量子比特及其辅助器件多层膜的制备方法,所述制备方法可实现三维超导量子比特加工,并提供了制备方法的步骤,还提供了通过超导量子比特及其辅助器件多层膜的制备方法制备的产品。本发明的制备超导量子比特的微纳加工技术,通过激光直写、反应离子刻蚀、高电压电子束曝光等步骤可以实现简单的三维超导量子比特加工。

著录项

  • 公开/公告号CN114122249A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院物理研究所;

    申请/专利号CN202111417754.3

  • 申请日2021-11-26

  • 分类号H01L39/24(20060101);H01L39/22(20060101);G06N10/40(20220101);

  • 代理机构11521 北京市英智伟诚知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘丹妮

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村南三街8号

  • 入库时间 2023-06-19 14:19:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-01

    公开

    发明专利申请公布

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