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硅锭、硅晶块、硅衬底、硅锭的制造方法和太阳能电池

摘要

锭具有第1面、其相反侧的第2面和沿第1方向连接第1面和第2面的第3面,具备在与第1方向垂直的第2方向上依次邻接的第1类单晶区域、包括类单晶区域的第1中间区域和第2类单晶区域,在与第1方向垂直且与第2方向交叉的第3方向上依次邻接的,第1类单晶区域、包括类单晶区域的第2中间区域和第3类单晶区域。在第2方向上,第1类单晶区域和第2类单晶区域分别比第1中间区域的宽度大。在第3方向上,第1类单晶区域和第3类单晶区域比第2中间区域的宽度大。第1类单晶区域和第2类单晶区域与第1中间区域的各边界,以及第1类单晶区域和第3类单晶区域与第2中间区域的各边界,具有重位点阵晶界。

著录项

  • 公开/公告号CN114127343A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 京瓷株式会社;

    申请/专利号CN202080051197.5

  • 发明设计人 小柏阳平;

    申请日2020-07-17

  • 分类号C30B28/06(20060101);C30B29/06(20060101);C30B33/06(20060101);H01L31/028(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/036(20060101);H01L31/068(20120101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人吴克鹏

  • 地址 日本京都府

  • 入库时间 2023-06-19 14:19:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-01

    公开

    国际专利申请公布

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