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调整的原子层沉积

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摘要

本发明提供了在原子层沉积(ALD)的交替循环期间使用长和短转换时间的沉积薄膜的方法和装置。实施方案涉及在多循环ALD处理的一个或多个循环中将ALD循环的转换持续时间交替。一些实施方案涉及在两或多个ALD循环中配料、清扫、压强、等离子体功率或等离子体能量的调整。

公开/公告号CN114127890A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-01

原文格式PDF
申请/专利权人朗姆研究公司;
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申请/专利号CN201980098159.2
发明设计人苏陈妙妙;克洛伊·巴尔达赛罗尼;希瓦·沙兰·班达里;普尔凯特·阿加瓦尔;阿德里安·拉沃伊;巴特·J·范施拉芬迪克;
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申请日2019-07-03
分类号H01L21/02(20060101);C23C16/455(20060101);H01L21/67(20060101);
代理机构31263 上海胜康律师事务所;
代理人李献忠;张华
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 14:19:02

1. 气体喷注装置、原子层沉积装置以及使用该原子层沉积装置的原子层沉积方法 [P] . 中国专利： CN103649368B . 2016.03.02
2. 调整的原子层沉积 [P] . 中国专利： CN114127890A . 2022-03-01
3. Method to tune TiO_xstoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiO_x/Ti based MIS contact scheme for CMOS [P] . 美国专利： US9478411B2 . 2016-10-25

机译：使用原子层沉积的Ti膜调整TiO _{x 化学计量的方法，以使基于TiO _{x / Ti的CMOS MIS接触方案的接触电阻最小化}}
4. Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process [P] . 美国专利： US9418890B2 . 2016-08-16

机译：在原子层沉积过程中调整沉积速率的方法
5. ATOMIC LAYER DEPOSITION DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DEVICE, AND CHROMATICITY ADJUSTMENT METHOD OF LIGHT-EMITTING DEVICE [P] . 日本专利： JP2014057048A . 2014-03-27

机译：原子层沉积装置，制造发光装置的方法以及发光装置的色度调整方法