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公开/公告号CN114093808A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-25
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN202110771014.3
发明设计人 R·艾哈迈德;R·科蒂;D·A·奎利;D·普拉特;
申请日2021-07-08
分类号H01L21/768(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人彭晓文
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-06-19 14:15:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 专利申请号:2021107710143 申请日:20210708
实质审查的生效
机译: 具有导电互连的组件,其相对于彼此横向和垂直偏移
机译: 具有集成电容结构的半导体组件具有至少两组导电平面,这些导电平面具有带相反极性且垂直和横向互连的条状元件
机译: 半导体器件和在第一基板上形成垂直偏移的导电柱的方法,该导电柱对准在第二基板上形成的垂直偏移的BOT互连部位
机译:具有垂直于氮化硼纳米片的垂直工程化组件的高热导电且电绝缘材料
机译:具有垂直对称轴的声学横向各向同性介质中的P和S波的偏移近似和逆转的比较
机译:具有横向互连和垂直馈通的晶圆级真空包装,用于微机电系统陀螺仪
机译:具有高密度互连和导电膏的先进的垂直互连技术
机译:基于集成在基板中的导轨上的垂直互连,设计和生产8x16天线阵列和三维毫米波组件
机译:横向垂直各向异性相对于偏差和敏感性
机译:从具有垂直对称轴的横向各向同性介质中的正常移除未经校正的多组分数据的准确基于射线偏移变换
机译:具有显式算子的横向各向同性介质中的深度偏移