首页> 中国专利> 偏置三通电路和使用其的PoC电路

偏置三通电路和使用其的PoC电路

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明提供一种能够削减部件个数并得到良好的高频特性的偏置三通电路。偏置三通电路(13)包括：插入在共用端子(E13)与信号端子(E11)之间的电容器(C11)；和串联插入在共用端子(E13)与电源端子(E12)之间的电感器(L11、L12)。电感器(L11)与共用端子(E13)侧连接，电感器(L12)与电源端子(E12)侧连接。电感器(L12)的自谐振频率比电感器(L11)的自谐振频率高，并且电感器(L12)的Q值比电感器(L11)的Q值低。由此，能够不对由电感器(L11)得到的阻抗曲线造成大的影响地，利用电感器(L12)补偿高频区域中的电阻成分的降低。

著录项

公开/公告号CN114079432A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-22

原文格式PDF
申请/专利权人 TDK株式会社;
展开▼

申请/专利号CN202110953943.6
发明设计人染谷秀平;奈良光之;江畑克史;土屋慎一;富田裕文;下藏良信;
展开▼

申请日2021-08-19
分类号H03H7/48(20060101);
代理机构11322 北京尚诚知识产权代理有限公司;
代理人杨琦;黄浩
地址日本东京都
入库时间 2023-06-19 14:14:25

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-03-11

实质审查的生效 IPC(主分类):H03H 7/48 专利申请号:2021109539436 申请日:20210819

实质审查的生效

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 偏置三通电路和使用其的PoC电路 [P] . 中国专利： CN114079432A . 2022-02-22
2. 功率放大器偏置保护电路及使用该电路的电路板 [P] . 中国专利： CN113809996A . 2021-12-17
3. Semiconductor integrated circuit device having body biasing circuit for generating forward well bias voltage of suitable level by using simple circuitry [P] . 美国专利： US6864539B2 . 2005-03-08

机译：具有体偏置电路的半导体集成电路器件，该体偏置电路用于通过使用简单的电路来生成适当电平的正向阱偏置电压
4. Semiconductor integrated circuit device having body biasing circuit for generating forward well bias voltage of suitable level by using simple circuitry [P] . 美国专利： US2004014268A1 . 2004-01-22

机译：具有体偏置电路的半导体集成电路器件，该体偏置电路用于通过使用简单的电路来生成适当电平的正向阱偏置电压
5. THREE-WAY STOPCOCK,AND LIQUID TRANSFUSION CIRCUIT OR BLOOD TRANSFUSION CIRCUIT EITHER USING THE THREE-WAY STOPCOCK [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1459783A4 . 2007-04-25

机译：三通旋塞阀，以及使用三通旋塞阀的液体输液电路或血液输液电路