公开/公告号CN114079468A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-22
原文格式PDF
申请/专利权人 瑞昱半导体股份有限公司;
申请/专利号CN202010843621.1
申请日2020-08-20
分类号H03M1/34(20060101);H03M1/18(20060101);
代理机构11517 北京市君合律师事务所;
代理人王再芊;魏宇明
地址 中国台湾新竹科学工业园区创新二路2号
入库时间 2023-06-19 14:14:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H03M 1/34 专利申请号:2020108436211 申请日:20200820
实质审查的生效
机译: 具有相同双层氧化物的快闪记忆体的制造方法和使用该方法的快闪记忆体
机译: 模拟数字快闪记忆体
机译: 一种两阶段直逼式近似模拟数字转换器的增益校准方法及两阶段直逼式近似模拟数字转换器的增益校准方法