退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN114068751A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-18
原文格式PDF
申请/专利权人 北京工业大学;
申请/专利号CN202111334929.4
发明设计人 王智勇;黄瑞;兰天;
申请日2021-11-11
分类号H01L31/078(20120101);H01L31/046(20140101);H01L31/0336(20060101);H01L31/20(20060101);
代理机构11335 北京汇信合知识产权代理有限公司;
代理人林聪源
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
入库时间 2023-06-19 14:14:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/078 专利申请号:2021113349294 申请日:20211111
实质审查的生效
机译: 双结薄膜太阳能电池模块及其制备方法
机译: 一种通过烟道sig外延外延技术生产激光器和Ingaas-激光器和-led的双异质结构的方法,适用于范围为(λ)= 1,2(μm)m至1,7( μm)米
机译: 一种异质结双极元件的制造方法及其双极元件的结构
机译:外延剥离的GaInP单结和GaInP / GaAs两结薄膜太阳能电池结构
机译:柔性金属基板上的InGaP / GaAs双结薄膜太阳能电池的特性
机译:具有由GaAsSb接触层和InGaAsSb梯度层组成的混合基础结构的InP基双异质结双极晶体管的金属有机化学气相沉积的组成和掺杂控制
机译:通过外延升降机剥离GainP单结和GaInP / GaAs双结薄膜太阳能电池结构
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:柔性基板上的高效单结GaAs薄膜太阳能电池
机译:受平面磁场影响的双异质结Gaas / alGaas结构的电容:自洽计算的结果
机译:alGaas / InGaasN / Gaas pnp双异质结双极晶体管