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一种提高作业效率及产出率的芯片翻膜方法

摘要

本发明涉及一种提高作业效率及产出率的芯片翻膜方法,包括:(1)边缘参数记录确认:确认要翻膜作业的芯片的边缘不良参数的圈数并做记录;(2)翻P面粘膜去除边缘不良品:根据记录单参数行数确认去除的圈数,整圈翻掉去除边缘不良品;(3)N面检验;(4)翻N面粘膜:变成N面粘膜,P面向上;(5)P面检验;(6)画片参数分档;(8)入库。本发明用于提高作业效率及产出率的芯片翻膜方法,在现有成熟的常规作业方法上,进一步优化调整更新工艺方法,取长补短,在提高作业效率的同时也提高了单片的产出粒数,工艺变更效果比较明显。

著录项

  • 公开/公告号CN114068769A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东浪潮华光光电子股份有限公司;

    申请/专利号CN202010788819.4

  • 申请日2020-08-07

  • 分类号H01L33/00(20100101);H01L21/66(20060101);H01L21/683(20060101);H01L21/67(20060101);

  • 代理机构37219 济南金迪知识产权代理有限公司;

  • 代理人许德山

  • 地址 261061 山东省潍坊市高新区金马路9号

  • 入库时间 2023-06-19 14:14:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/00 专利申请号:2020107888194 申请日:20200807

    实质审查的生效

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