法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 专利申请号:2021108798043 申请日:20210802
实质审查的生效
机译: 集成电路结构,具有雪崩交界处与半导体井中的掺杂半导体
机译: 用作晶体管中的堆叠多栅极结构的半导体组件包括带有掺杂阱的半导体衬底,该掺杂阱是具有电介质层和导电层的交替层序列的接触区
机译: 半导体元件隧道二极管具有n型掺杂的半导体层和p型掺杂的半导体层,在n型掺杂的半导体层上形成具有相邻的n型掺杂层面积的假晶半导体层