一种用于多层键合MEMS器件的跨层过刻坡度测试结构及测试方法

摘要

本发明公开了一种用于多层键合MEMS器件的跨层过刻坡度测试结构及测试方法，其中，测试结构包括键合连接的SOI硅片和上层硅片；SOI硅片包括从下至上依次设置的底层硅衬底、绝缘层和由单晶硅结构层构成的过刻结构；上层硅片包括等距顺次设置的第一L型硅梁单元、第二L型硅梁单元、第三L型硅梁单元和第四L型硅梁单元；四个L型硅梁单元围成方形刻蚀区；其中，测试方法包括采用四线法测量过刻结构的等效电阻率，根据等效电阻率计算得到过刻结构的过刻坡度。本发明的测试结构简单，制备成本低，测试方法步骤简洁，能够快速获得结果，且通用性强。