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公开/公告号CN114023683A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-08
原文格式PDF
申请/专利权人 重庆康佳光电技术研究院有限公司;
申请/专利号CN202111079897.8
发明设计人 苏财钰;伍凯义;杨然翔;喻兵;伍修颀;
申请日2021-09-15
分类号H01L21/683(20060101);H01L21/67(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);
代理人李铁
地址 402760 重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)
入库时间 2023-06-19 14:06:32
机译: 静电吸盘和包括该静电吸盘的干蚀刻设备
机译: 在Bosch过程中使用的干蚀刻装置和干蚀刻终点检测装置以及通过使用其的干蚀刻装置形成电气设备的方法
机译:通过集成的激光干蚀刻工艺来改善PVD涂层粘附的微量激光干蚀刻方法可控制备WC / Co衬底表面的微纹理
机译:通过RIE干蚀刻和KOH湿蚀刻技术结合沿<1120>方向制造GaN基条纹结构,以恢复干蚀刻损伤
机译:使用深层光学光谱研究干蚀刻诱导的干蚀刻诱导的缺陷,垂直GaN,P-N二极管
机译:硅晶片通过干蚀刻具有低粗糙度和高均匀性的干蚀刻
机译:GaN激光二极管中先进的波导设计的干蚀刻特征
机译:干/湿蚀刻法制备的微纳米杂化结构的减反射研究
机译:用铝硬蚀刻面罩对多酰亚胺干蚀刻后的“毛状”残留的研究
机译:用于确定高性能ZnO TFT的欧姆接触的选择性干蚀刻