首页> 中国专利> 用于基于针对某些存储单元的指定错误率修复缺陷存储器单元的设备及方法

用于基于针对某些存储单元的指定错误率修复缺陷存储器单元的设备及方法

摘要

本发明公开用于修复与高或低优先级相关联的存储器阵列的区中的缺陷存储器单元的方法、设备及系统。修复地址产生器可经配置以产生用于修复(例如,熔断熔丝电路处的熔丝)的存储器地址映射,这取决于某些应用是否可在指示低位错误率的高优先级或指示较高位错误率的低优先级下操作。举例来说,与低优先级相关联的指定错误率可对应于针对某些应用的阈值错误率,例如存储经训练权重的神经网络应用。此神经网络应用可存取部分存储在缺陷存储器单元中的经训练权重,其中此类经训练权重的最低有效位存储在未根据存储器地址映射修复的缺陷存储器单元中。

著录项

  • 公开/公告号CN114026642A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN202080046491.7

  • 申请日2020-06-11

  • 分类号G11C29/44(20060101);G11C29/00(20060101);G11C7/10(20060101);G06F3/06(20060101);G06F12/02(20060101);G06F12/126(20160101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王龙

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2023-06-19 14:06:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-02-08

    公开

    国际专利申请公布

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号