一种基于CVD法的应变金刚石生长掺杂方法

摘要

本发明涉及一种基于CVD法的应变金刚石生长掺杂方法。通过CVD法在衬底层上依次沉积出渐变缓冲层、驰豫层，最后在弛豫层上沉积出CVD应变金刚石层，并通过CVD法进行掺杂。该方法利用CVD法制备的驰豫层晶格常数大于金刚石的晶格常数，进而使得金刚石产生拉应变。CVD应变金刚石在生长和掺杂过程中，金刚石处于拉应变状态，因此，掺杂元素的形成能较低，容易掺入金刚石，使得金刚石的掺杂浓度较高。