切割晶粒接合一体型膜、晶粒接合膜以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明公开一种切割晶粒接合一体型膜，其包括：切割带，具有基材以及设置于基材上的压敏胶黏剂层；以及晶粒接合膜，具有第一表面以及与第一表面为相反侧的第二表面，且以压敏胶黏剂层与第一表面接触的方式配置于切割带的压敏胶黏剂层上。晶粒接合膜以晶粒接合膜的总量为基准含有75质量％以上的导电性粒子。晶粒接合膜上的第一表面的表面粗糙度为1.0μm以下，且第二表面的表面粗糙度为1.0μm以下。