一种二维材料横向马赛克异质结阵列及其制备和应用

摘要

本发明属于二维材料异质结阵列制备领域，具体公开了二维材料横向马赛克异质结阵列的制备方法，获得材料A的单晶纳米片；依次对材料A的单晶纳米片进行激光刻蚀可控热刻蚀，随后再生长材料B，形成由二维材料A和二维材料B构成的边界清晰的马赛克异质结阵列。本发明还提供了所述的制备方法制得的二维材料横向马赛克异质结阵列及其在制备光电学器件中的应用。本发明制备的相关异质结阵列具有原子层级光滑，异质结界线陡峭且平整，几乎没有掺杂，材料光学、电学性能优异；该方法为大规模功能化二维材料器件集成提供了一个全新的材料平台，标志着为基础研究和发展复杂器件和二维异质结构集成电路奠定坚实的材料基础迈出了关键的一步。