取向ZnO/Cu₂O纳米异质结阵列的制备及光电特性研究

摘要

采用电化学沉积法制备了取向ZnO/Cu2O异质结阵列。通过FESEM、XRD、XPS、PL、IV特性测试等手段对形成的纳米异质结的形貌、晶体结构、化学成份、光致发光、IV特性和光电转换特性等进行了分析讨论。结果表明,沉积时间及沉积电压是影响制备高质量ZnO/Cu2O核壳异质结阵列的关键因素。异质结的Cu2O包覆层厚度约为15~25 nm,主要由单晶纳米晶粒构成,晶粒细致。测试发现,相对于纯ZnO纳米线阵列,ZnO/Cu2O异质结阵列的紫光发光峰强度有所减弱,绿光峰强度有所增强,且绿光峰的中心峰位还出现了20~30 nm的红移现象。同时,ZnO/Cu2O异质结阵列还表现出了较好的光电响应特性。