公开/公告号CN113972815A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-25
原文格式PDF
申请/专利权人 茂睿芯(深圳)科技有限公司;
申请/专利号CN202010722233.8
申请日2020-07-24
分类号H02M1/088(20060101);H02M1/38(20070101);
代理机构44414 深圳中一联合知识产权代理有限公司;
代理人李金伟
地址 518000 广东省深圳市南山区招商街道水湾社区太子路111号水湾1979广场二期16E
入库时间 2023-06-19 14:00:21
机译: 用于制造集成电路的垂直双通道绝缘体上硅场效应晶体管,在成对的垂直半导体层,栅极氧化物和栅极源极以及漏极上分别具有源极,漏极和沟道区
机译: 具有公共栅极堆叠的双通道cmos
机译: 双通道/栅极垂直场效应晶体管(FET)与垂直磁隧道结(PMTJ)一起使用