一种高击穿电压氧化镓功率二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种高击穿电压氧化镓功率二极管及其制备方法，该制备方法包括：选取衬底层，在衬底层上表面制备漂移层；在衬底层的下表面制备阴极；在漂移层的上表面制备阳极；对器件进行低温退火工艺处理，得到氧化镓功率二极管；其中，衬底层和漂移层均为Si或Sn掺杂的β‑Ga2O3材料，且漂移层的掺杂浓度低于衬底层的掺杂浓度，阳极为Ni/Au金属叠层，金属Ni与漂移层的界面处形成具有P型特征的NiO层，NiO层与漂移层形成异质PN结结构。本发明的制备方法，通过低温退火形成具有P型特性薄层NiO层可与β‑Ga2O3漂移层形成异质PN结结构，可调制电场分布，改善阳极金属与氧化镓界面特性，降低反向泄漏电流，提升器件的击穿电压。