一种拉制高电阻率区熔单晶硅的工艺方法

摘要

本发明公开了一种拉制高电阻率区熔单晶硅的工艺方法，包括：多晶料对中、籽晶安装、封炉、抽真空、通氩气、预热、化料引晶、拉细颈、扩肩、转肩、等径保持及收尾工艺，在等径保持工艺中增加正反转工艺，当熔区液面稳定后，开启正反转功能，设定顺时针转动、逆时针转动的时间分别为10 s和20 s，然后继续进行等径保持过程；同时单晶硅所用多晶料为高纯度Wacker多晶硅料，其电阻率高于10000Ω·cm，杂质含量的具体参数要求如下：C含量≤60 ppba，B含量≤40 ppta，P含量≤120 ppta，As含量≤6 ppta。本发明方法简单、实用，可以满足对高于电阻率10000Ω·cm单晶硅的需求。