基于2T-2MTJ存储单元的磁性随机存储器阵列及其读写方法

摘要

本发明公开一种基于2T‑2MTJ存储单元的磁性随机存储器阵列及其读写方法，属于及非易失性存储器领域，包括存储阵列、电平转换电路、灵敏放大器SA、写电路和多边选择电路；灵敏放大器SA连接多边选择电路，用于数据信号的放大和读出；多边选择电路包括多路选择器MUX_1~MUX_4，用于分别选择存储阵列中存储单元的位线BL、源线SL、位线BLN、源线SLN；电平转换电路连接存储阵列的字线WL、WLN，根据写入数据DQ的不同，将字线WL和WLN的电压在VWL0和VWL1之间进行切换，VWL0小于VWL1；写电路连接多边选择电路，用于数据DQ的写入。存储阵列中的字线电压根据写入数据的不同进行切换，解决了由于NMOS管阈值损失导致作用于磁性隧道结上的写入电压过小的问题。