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公开/公告号CN113948302A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-18
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州电子科技大学;
申请/专利号CN202111086779.X
发明设计人 张雪峰;王泽璇;赵利忠;付松;孙玉萍;石振;刘孝莲;严密;
申请日2021-09-16
分类号H01F41/02(20060101);H01F1/057(20060101);
代理机构33109 杭州杭诚专利事务所有限公司;
代理人何俊
地址 310018 浙江省杭州市江干区下沙高教园区
入库时间 2023-06-19 13:55:46
机译: HDDR工艺中脱附-重组步骤的控制方法,使用相同方法制造基于Nd-Fe-B的磁粉的方法以及由此制造的基于Nd-Fe-B的磁粉
机译: 用于粘结磁体的R-Fe-B基稀土磁粉的制备方法,通过该方法制备的磁粉,使用该磁粉制备粘结磁体的方法以及通过该方法制备的粘结磁体
机译: 制备用于粘结磁体的基于R-FE-B的稀土磁粉的方法,用该方法制备的磁粉,使用磁粉制备粘结磁体的方法以及用该方法生产的粘结磁体
机译:通过HDDR处理体内乳清粉体的HDDR处理制备亚微晶Nd-Fe-B基各向异性磁体的组织和磁性。
机译:各向异性Nd-Fe-B磁粉HDDR工艺的晶体取向分析
机译:由带状铸造合金薄片直接制备的各向异性HDDR Nd-Fe-B磁粉
机译:HDDR工艺制备高能产品的各向异性Nd_2Fe_(14)B基磁体粉末
机译:使用溶液前驱体等离子喷涂工艺来制备致密陶瓷涂层的前驱体和加工条件。
机译:各向异性DNA功能化金纳米粒子的简便高效制备及其区域选择性组装
机译:HDDR工艺制备的ND-Fe-B磁体粉末的各向异性分布
机译:一种计算永磁体磁路泄漏因子的简便方法