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一种FA掺杂的CsPbI2Br基钙钛矿薄膜材料的制备方法

摘要

本发明设计了一种低浓度FA掺杂的CsPbI2Br基钙钛矿薄膜材料的制备方法。由于在遇水汽的情况下CsPbI2Br钙钛矿极易发生相变导致其太阳电池失效,本发明提出了结合基底预热法并采用少量FA替代部分CsPbI2Br中的Cs以合成单一物相的高Cs含量的Cs1‑xFAxPbI2Br(0

著录项

  • 公开/公告号CN113929131A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 桂林理工大学;

    申请/专利号CN202111143378.3

  • 发明设计人 龙飞;江志康;田楠;何庆贺;

    申请日2021-09-28

  • 分类号C01G21/00(20060101);H01L51/42(20060101);

  • 代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人张秋燕

  • 地址 541000 广西壮族自治区桂林市建干路12号

  • 入库时间 2023-06-19 13:55:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-02-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G21/00 专利申请号:2021111433783 申请日:20210928

    实质审查的生效

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