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公开/公告号CN113929131A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-14
原文格式PDF
申请/专利权人 桂林理工大学;
申请/专利号CN202111143378.3
发明设计人 龙飞;江志康;田楠;何庆贺;
申请日2021-09-28
分类号C01G21/00(20060101);H01L51/42(20060101);
代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;
代理人张秋燕
地址 541000 广西壮族自治区桂林市建干路12号
入库时间 2023-06-19 13:55:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-02-01
实质审查的生效 IPC(主分类):C01G21/00 专利申请号:2021111433783 申请日:20210928
实质审查的生效
机译: 薄膜介电材料的掺掺杂掺杂钙钛矿材料的形成方法及包含这种材料的结构
机译: 薄膜铁电器件和热电器件中掺掺杂掺杂钙钛矿的材料的形成方法和结构
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机译:一种新颖的Ni / Ce共掺杂钛酸酯基钙钛矿,可作为直接烃类固体氧化物燃料电池的耐结焦阳极材料
机译:铅含量可忽略不计的铅基钙钛矿朗缪尔薄膜的新制备方法
机译:锶掺杂对FASnI3钙钛矿薄膜的形貌,结构和光物理性质的影响
机译:钙掺杂Y114层状钴钙钛矿,一种用于直接甲醇燃料电池的有前途的阳极材料
机译:钴掺杂的锐钛矿型二氧化钛和钙钛矿型钛酸锶锶作为潜在的稀磁半导体的材料和磁性研究。
机译:高导电率的基于Ag的金属有机配合物作为高掺杂系数钙钛矿型太阳能电池的无掺杂空穴传输材料
机译:通过锌碘化锌掺杂稳定的一步旋涂混合阳离子(FA / MA)引导钙钛矿薄膜中增强晶界发射寿命和添加剂诱导的晶体取向
机译:从溶液中合成陶瓷:功能梯度复合材料,纳米复合材料和单晶薄膜。钙钛矿薄膜上钙钛矿薄膜的晶格错配