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盐酸度洛西汀杂质，其制备及分析方法

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摘要

本发明提供了盐酸度洛西汀杂质，其制备及分析方法，可以更好地控制盐酸度洛西汀的质量。两个杂质的结构式如下：

公开/公告号CN113929657A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-14

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申请/专利权人浙江晖石药业有限公司;
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申请/专利号CN202010672234.6
发明设计人祝兴勇;王旭;章建丰;李练达;吴希罕;揭元萍;邓鹿江;
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申请日2020-07-14
分类号C07D333/16(20060101);G01N30/02(20060101);G01N30/06(20060101);G01N30/34(20060101);G01N30/74(20060101);
代理机构
代理人
地址 312369 浙江省绍兴市杭州湾上虞经济技术开发区纬七路11号
入库时间 2023-06-19 13:55:46

1. 盐酸度洛西汀杂质，其制备及分析方法 [P] . 中国专利： CN113929657A . 2022-01-14
2. 一种磷酸奥司他韦杂质及其制备方法和分析方法 [P] . 中国专利： CN113501768A . 2021-10-15
3. METHOD FOR PREPARING SAMPLE FOR ANALYZING IMPURITIES IN DEPTH DIRECTION OF ALUMINA SINTERED BODY AND IMPURITY ANALYZING METHOD USING THE METHOD [P] . 日本专利： JP2000314689A . 2000-11-14

机译：铝烧结体深度方向杂质分析样品的制备方法及使用该方法的杂质分析方法
4. Preparation manner of assay sample, analysis manner of impurity and preparation manner of high purity phosphoric acid and production manner null [P] . 日本专利： JP3242566B2 . 2001-12-25

机译：测定样品的制备方法，杂质的分析方法，高纯磷酸的制备方法和生产方式
5. PREPARATION OF ANALYTICAL SAMPLE, METHOD FOR ANALYZING IMPURITIES, PREPARATION OF HIGH PURITY PHOSPHORIC ACID AND PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE [P] . 日本专利： JPH0915121A . 1997-01-17

机译：分析样品的制备，杂质的分析方法，高纯磷酸的制备以及半导体器件的生产