一种非制冷红外探测器的制备方法及非制冷红外探测器

摘要

本发明涉及一种非制冷红外探测器的制备方法及非制冷红外探测器，制备方法包括采用CMOS工艺制备CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构；制备CMOS红外传感结构包括采用RDL工艺在CMOS测量电路系统的顶层金属上制备第一金属互连层或者以CMOS测量电路系统的顶层金属作为第一金属互连层；在第一互连柱上方沉积第三金属互连层以形成梁结构；采用通孔工艺和CMP平坦化工艺制备第二互连柱，沉积第四金属互连层和第二介质层以形成吸收板。通过本发明的技术方案，解决了传统MEMS工艺非制冷红外探测器的性能低，像素规模低，良率低以及一致性差的问题，优化了非制冷红外探测器的性能。